1000 Ohm Halbleiter-Dehnungsmessstreifen
★ Nichtlinearitätskompensation für Wandler.
★ Einsatz in Maschinen, Schiffen, Brücken, der Luftfahrt usw.
★ Wird im Mikrodrucksensor verwendet.
1000 Ohm Halbleiter-Dehnungsmessstreifen
Beschreibung
Der 1000-Ohm-Halbleiter-Dehnungsmessstreifen zeichnet sich durch einen großen Empfindlichkeitskoeffizienten, einen geringen mechanischen Nacheilwiderstand sowie einen geringen Transversaleffekt aus und ist das häufig verwendete Element für die Wandlerherstellung und die Analyse technischer Spannungen. 1000-Ohm-Halbleiter-Dehnungsmessstreifen werden nicht nur zur Vermessung der Spannungsverteilung oder zur statischen Messung für Maschinenschiffsbrücken in der Luftfahrt verwendet, sondern auch zur Nichtlinearitätskompensation von Folienwandlern.
UTOP stellt nicht nur alle Arten von Standard-Halbleiter-Dehnungsmessstreifen her, sondern bietet auch spezielle Halbleiter-Dehnungsmessstreifen wie Mitteltemperatur-Dehnungsmessstreifen oder Halbleiter-Dehnungsmessstreifen ohne Backing-Naked-Type an.
Anwendung
★ Nichtlinearitätskompensation für Wandler.
★ Einsatz in Maschinen, Schiffen, Brücken, der Luftfahrt usw.
★ 1000 Ohm Halbleiter-Dehnungsmessstreifen werden in Mikrodrucksensoren verwendet
Spezifikationen
| Messmuster | SSC-15 | SSC-30 | SSC-60 | SSC-120 | SSC-350 | SSC-600 | SSC-1000 |
Spur Widerstand (Ω) | 15 ± 5% | 30 ± 5% | 60 ± 5% | 120 ± 5% | 350 ± 5% | 600 ± 5% | 1000 ± 5% |
Kristall Größe (mm) | B, C | B, C | B, C | ABC | B, C | C | CD |
Sichern L × B (mm) | 0, F2, F3, F4, F5 | 0, F2, F3, F4, F5 | 0, F2, F3, F4, F5 | 0, F2, F3, F4, F5 | 0, F2, F3, F4, F5 | 0, F2, F3, F4, F5 | C: 0, F2, F3, F4, F5 D: 0, F1, F3 |
Spur Faktor | 100 | 100 | 120 | A: 15 BC: 120 | 150 | 200 | C: 200 D: 150 |
| TCR * (% / ℃) | 0.10 | 0.10 | 0,15 | 0,13 | 0,30 | 0,45 | C: 0,40 D: 0,30 |
| TCGF ** (1 / ℃) | -0.12 | -0.12 | -0,18 | A: -0,35 BC: -0,18 | -0,35 | -0,48 | C: -0,48 D: -0,35 |
Arbeiten Strom (mA) | 50 | 50 | 50 | A: 20 BC: 50 | 30 | 20 | 20 |
Arbeiten Temp. ( ℃ ) | KEINE Unterstützung: -40 ~ + 150 ℃ Mit Unterstützung: -30 ~ + 80 ℃ | ||||||
Belastung Limit (μe) | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 |
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